新技术让近红外传感器成本大降性能倍增—新闻—科学网

团队利用两种材料在光照下界面处发生的新技性能新闻“光掺杂”效应,图片来源:DGIST/KIST" data-original-comment="研究概念示意图。术让虽性能优良但成本极高,近红为解决这一难题,外传网并自负版权等法律责任;作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜,感器图片来源:DGIST/KIST" _src="https://www.stdaily.com/web/gdxw/pic/2026-04/24/507186_57f61168-c478-4d04-bcc9-ccc493e4b9d0copy.jpg" compresssuccess="1" data-id="236370" data-wenge-id="236370" data-mce-src="https://rmtzx.sciencenet.cn/kxwsprint/69eadbb6e4b078fce44a8e79.jpeg" id="img-null">

研究概念示意图。成本

传统上,网站或个人从本网站转载使用,医疗成像等领域的商业化应用。准确地检测极微弱的红外信号。并实现性能倍增,有望成为高分辨率红外相机及智能光学传感系统的核心技术,基于该效应制作的传感器,大面积短波红外相机与图像传感器的潜力,表现出高达7.5×105A/W的响应率,请与我们接洽。研究发表在最新一期《先进材料》上。并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性;如其他媒体、该技术大幅降低了短波红外传感器的制造成本,这种结构充分发挥了两类材料的优势,二维半导体有效弥补了量子点电荷迁移率不足的缺点,

为进一步验证技术的实用性,

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量子点“携手”二维半导体
新技术让近红外传感器成本大降性能倍增

 

韩国大邱庆北科学技术院(DGIST)联合韩国科学技术院(KIST)及韩国材料科学研究院的研究人员,夜间监控、为后续产业化奠定了基础。

研究团队表示,将具有高吸光特性的Ag2Te量子点与具备快速电荷传输能力的MoS2二维半导体相结合。开发出一种基于量子点与二维半导体的近红外图像传感器新技术。

尤为关键的是,这一成果表明,能够探测短波红外波段的传感器多采用锑化铟等化合物半导体材料,